电子信息
一种基于PN结的硅通孔结构及其制作方法

申请号

2016101120029

专利类型

发明专利

申请日

2016-02-29

专利权人

西安理工大学

授权日

2018-02-22

法律效力

授权

摘要

 

本发明公开了基于PN结的硅通孔结构,从外到内依次设置为P型半导体衬底、N型掺杂层、介质层和金属柱,P型半导体衬底与N型掺杂层之间形成PN结空间电荷区,N型掺杂层、PN结空间电荷区及P型半导体衬底构成PN结。本发明还公开了该硅通孔结构的制作方法。本发明与传统同轴结构的圆柱形硅通孔相比,其采用N型掺杂层与P型半导体衬底形成PN结,在三维集成电路工作时处于反偏状态,自动实现隔离噪声的作用,达到较高的高频信号完整性。并且本发明的硅通孔结构省去了接地环节,同时减少了金属的使用,提高了热机械可靠性。