电子信息
一种直拉硅单晶生长过程工艺参数优化方法

专利号

2018109949481

专利类型

发明专利

申请日

2018-08-29

专利权人

西安理工大学

授权日

2019-09-27

法律效力

授权

摘要

 

本发明公开了一种直拉硅单晶生长过程工艺参数优化方法,具体步骤如下:建立硅单晶热场中径向温度梯度和轴向温度梯度G的优化模型、采用满意度函数法对模型参数进行最优化求解、采用有限元数值模拟方法对直拉硅单晶炉内的熔体和固液界面的温场分布进行仿真、利用响应面法对G进行函数拟合及回归分析、修正,得到优化后的工艺参数。本发明的一种直拉硅单晶生长过程工艺参数优化方法,能够利用直流变压器的自平衡原理,实现级联H桥模块电容电压的自然平衡;所设计的谐振型直流变压器能够确保即便在开环控制下,能量双向流动时直流电压均在期望范围内波动;极大简化了系统的控制,保证不同功率下的直流增益,易于实现。