申请日

2018/1/22

专利权人

西安理工大学

授权日

2020/12/18

法律效力

授权

摘要

本发明公开的一种用于半导体的微弧放电切割装置，包括底座，底座上竖直固接有长方体结构的立柱，立柱的一个侧面自上而下依次设置有驱动装置和“几”字形工作台，且“几”字形工作台的台面平行且背对于立柱侧面，立柱的侧面竖直设置有滑动机构，“几”字形工作台活动连接于滑动机构内，“几”字形工作台上固接有超声振动机构，超声振动机构下方固接有切割机构，底座上还设置有装有电解液的容器，且容器位于超声振动机构下方，容器内部设置有三角卡盘，解决了SiC单晶体在切割过程容易出现固‑液界面气泡分布不均匀的问题。