综合类
一种直拉硅单晶生长工艺优化固液界面氧分布调节方法

专利号

201710811360.3

专利类型

发明专利

申请日

2017-9-11

专利权人

西安理工大学

授权日

2020-3-31

法律效力

授权

摘要

 

本发明公开了一种直拉硅单晶生长工艺优化固液界面氧分布调节方法,首先调节超导水平磁场强度,得到不同磁场强度下的固液界面氧浓度分布曲线,计算固液界面的平均氧浓度和固液界面径向氧浓度分布的均匀性,通过对比选取出合适的磁场强度,其次是在选取的磁场强度下分别调节晶体转速和坩埚转速,通过对比仿真结果得到适合降低固液界面氧浓度和提高固液界面氧浓度分布均匀性的晶体转速和坩埚转速,最后在所选取的超导磁场强度、晶体转速和坩埚转速三者的共同作用下,得到超导水平磁场下直拉硅单晶固液界面氧浓度分布信息,本发明解决了现有技术中存在的直拉硅单晶生长工艺参数调节时容易造成晶体中氧含量过高、氧分布不均匀的问题。